頻率范圍——電容和交流損耗測(cè)量方法可分成三種：零值法，共振法和偏轉(zhuǎn)法。任何特殊場(chǎng)合的某一方法選擇將主要取決于工作頻率。當(dāng)頻率范圍為從小于1Hz直到幾兆赫茲時(shí)，可以使用許多形式的電阻或電感比值臂電容橋。當(dāng)頻率低于1Hz時(shí)，要求采用特殊的方法和儀器。在500kHz~30MHz的較高頻率下，可使用平行T形網(wǎng)絡(luò)，因?yàn)樗鼈儾捎昧斯舱耠娐返囊恍┨卣?。而?dāng)頻率從500kHz到幾百兆赫茲時(shí)，可使用共振法。偏轉(zhuǎn)法只能在從25到60Hz的電源線頻率下使用，使用時(shí)采用商用指示儀表，此時(shí)可以很容易獲得要求的較高電壓。

直接和替代方法——在任何直接法中，電容和交流損耗值采用該方法所用所有電路元件形式來(lái)表示，因此受到所有誤差的影響。通過(guò)替代方法可以獲得更加大的精度，在此方法中可采用連接和斷開(kāi)的未知電容器進(jìn)行讀數(shù)。在這些不能改變的電路元件中的誤差通?？梢耘懦蝗欢?，仍然保留了連接誤差。

兩終端和三終端測(cè)量——兩終端和三終端測(cè)量選擇通常是在精度和便利性之間作出一個(gè)選擇。在電介質(zhì)樣本上使用一個(gè)保護(hù)電極時(shí)，則幾乎可排除邊緣和接地電容的影響。規(guī)定采用一個(gè)保護(hù)終端，則可排除電路元件引入的一些誤差。在另一方面，補(bǔ)充的電流元件和護(hù)罩通常要求提供相當(dāng)多的保護(hù)終端到測(cè)量設(shè)備上，這可能增加好幾倍的調(diào)節(jié)次數(shù)來(lái)獲得要求的較后結(jié)果。電阻比值臂電容橋用保護(hù)電路很少被用于1MHz以上的頻率。電導(dǎo)比值臂橋提供了一個(gè)保護(hù)終端，而不要求額外的電路或調(diào)節(jié)。平行T形網(wǎng)絡(luò)和共振電路不提供保護(hù)電路。

在偏轉(zhuǎn)方法中，可以僅僅通過(guò)額外護(hù)罩來(lái)提供一個(gè)保護(hù)。一個(gè)兩終端測(cè)微計(jì)電極系統(tǒng)的使用提供了許多三終端測(cè)量的優(yōu)點(diǎn)，即幾乎排除了邊緣和接地電容的影響，但是可能增加觀測(cè)或平衡調(diào)節(jié)的次數(shù)。其使用也可以排除在較高頻率下連接導(dǎo)線的串聯(lián)電感和電阻導(dǎo)致的誤差，其可以在整個(gè)頻率范圍內(nèi)使用，直至幾百兆赫茲。當(dāng)使用一個(gè)保護(hù)時(shí)，存在耗散因子測(cè)量值將小于真實(shí)值的可能性。這可能是由于在測(cè)量電路保護(hù)點(diǎn)和保護(hù)電極之間的任何點(diǎn)位置的保護(hù)電路的電阻導(dǎo)致的。這還可能來(lái)自高接觸電阻，導(dǎo)線電阻，或者來(lái)自保護(hù)電極自身的高電阻。

在場(chǎng)合，耗散因子將顯示為負(fù)值。當(dāng)沒(méi)有保護(hù)的耗散因子高于由于表面泄漏導(dǎo)致的標(biāo)準(zhǔn)值時(shí)，該情況較可能存在。電容耦合到測(cè)量電極以及電阻耦合連接到保護(hù)點(diǎn)的任何點(diǎn)可成為困難的來(lái)源。常見(jiàn)保護(hù)電阻產(chǎn)生一個(gè)與ChClRg成比例的等效負(fù)值耗散因子，其中Ch和Cl為電極保護(hù)電容，Rg為保護(hù)電阻。

液體置換方法——液體置換方法使用時(shí)可以采用三終端或自屏蔽兩終端試驗(yàn)池。采用三終端試驗(yàn)池，可能直接測(cè)定所用液體的電容率。自屏蔽兩終端試驗(yàn)池提供了三終端試驗(yàn)池的許多優(yōu)點(diǎn)，即幾乎排除了邊緣和接地電容的影響，同時(shí)還可以與沒(méi)有規(guī)定一個(gè)保護(hù)的測(cè)量電路一起使用。如果其配有一個(gè)完整的測(cè)微計(jì)電極，在較高頻率下連接導(dǎo)線的串聯(lián)電導(dǎo)電容的影響將可以排除。

精度——所列方法精密考慮了電容率測(cè)定精度為±1%，而耗散因子測(cè)定精度為±(5% 0.0005)。這些精度取決于至少三個(gè)因素：電容和耗散因子觀測(cè)的精度，所用電極布置導(dǎo)致的這些參量的修正值的精度以及電極之間真空靜電容計(jì)算的精度。在較好的條件以及較低頻率下，電容測(cè)量可具有±(0.1% 0.02pF)的精度，而耗散因子可具有±(2% 0.00005)的精度。在較高頻率下，當(dāng)電容達(dá)到±(0.5% 0.1pF)，耗散因子達(dá)到±(2% 0.0002)時(shí)，這些極限值可能增大。配有一個(gè)保護(hù)電極的電介質(zhì)樣本測(cè)量只具有電容誤差和電極之間真空靜電容計(jì)算的誤差。

受保護(hù)電極和保護(hù)電極之間間隙太寬導(dǎo)致的誤差將通常為幾十個(gè)百分比，同時(shí)修正值可以計(jì)算為幾個(gè)百分比。當(dāng)平均厚度為2mm時(shí)，樣本厚度測(cè)量誤差可為幾十個(gè)百分比，此時(shí)假設(shè)可以測(cè)量至±0.005mm。圓形樣本直徑可以測(cè)量至具有±0.1%的精度，但是輸入作為平方值。將這些誤差合并，電極之間真空靜電容可以測(cè)量至具有±0.5%的精度。與電極之間靜電容不同的是，采用測(cè)微計(jì)電極進(jìn)行測(cè)量的帶接觸式電極的樣本不需要進(jìn)行修正，假如樣本直徑足夠小于測(cè)微計(jì)電極直徑的話。當(dāng)兩終端樣本以任何其它方式進(jìn)行測(cè)量時(shí)，邊緣電容計(jì)算和接地電容測(cè)定將涉及相當(dāng)大的誤差，因?yàn)槊恳环N誤差都可能為2~40%的樣本電容。采用目前的這些電容知識(shí)，在計(jì)算邊緣電容時(shí)，可能的誤差為10%，而在評(píng)估接地電容時(shí)，其可能的誤差為25%。

因此涉及的總誤差范圍可為幾十分之一的1%到10%或者更大。然而，當(dāng)沒(méi)有電極接地時(shí)，接地電容誤差降至較?。?.1）。采用測(cè)微計(jì)電極，0.03階的耗散因子可以測(cè)量準(zhǔn)確到±0.0003的真實(shí)值，而0.0002階的耗散因子可以測(cè)量準(zhǔn)確到±0.00005的真實(shí)值。耗散因子范圍通常為0.0001到0.1，但是其也可以超過(guò)0.1。在10~20MHz的頻率下，可以推測(cè)0.0002階的耗散因子。從2到5的電容率值可以測(cè)定準(zhǔn)確到±2%。該精度受到電極之間真空靜電容計(jì)算要求測(cè)量精度以及測(cè)微計(jì)電極系統(tǒng)誤差的限制。